| 参考价 | ¥ 1000 |
| 订货量 | ≥1台 |
普赛斯以自主研发为导向，深耕半导体测试领域(加V了解whpssins)，在I-V测试上积累了丰富的经验，先后推出了直流源表，脉冲源表、脉冲恒流源、脉冲恒压源、功率器件静态测试系统、大功率激光器老化测试系统等测试设备，广泛应用于高校研究所、实验室，新能源，光伏，风电，轨交，变频器等场景。普赛斯全新升级S系列数字源表更大直流,更高精度,科研实验B备源表,标准的SCPI指令集,上位机软件功能丰富；
目前，产品已覆盖10pA-6000A、300mV-10KV的电压电流范围，并在多个领域展现出觉对优势。特别是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半导体的电源及测试需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及测试性能均处于觉对优势地位。此外，在大功率激光器测试、PD、APD、SPAD、SIPM晶圆测试及老化电源市场，普赛斯仪表的产品也能够满足绝大多数应用场景的需求。
| 品牌 | 其他品牌 |
|---|
十ms级的上升沿和下降沿；
单台蕞大3500V的输出；
0.1%测试精度；
同步电流或电压测量；
支持程控恒压测流，恒流测压，便于扫描测试；详情上普赛斯仪表官&网咨询
产品简介
高电压源测单元具有输出及测量电压高（3500V）、能输出及测量微弱电流信号（1nA）的特点。设备工作在地一象限，输出及测量电压0~3500V，输出及测量电流0~100mA。支持恒压恒流工作模式，同时支持丰富的I-V扫描模式。
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
*您想获取产品的资料：
个人信息：
