1756-CNBR
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这个保护非常简单,只要在放大器输入端增加一对背对背二极管(D1与D2)即可,如图2所示。由于有了二极管D1与D2,Q1与Q2的电压摆动就局限在±0.8V,远低于基极-发射极击穿电压。过程速度越低,击穿电压越高,因此为了提高阈值电压,可以增加更多的串联二极管。例如,如果某个过程的击穿电压是4 V,利用3个串联二极管可能使阈值降低为2.1 V。对于速度非常低的过程,反向击穿电压将足够高,从而可以省却输入保护。为什么不使用一串独立的二极管呢?输入保护的一个缺点是二极管限制了输入电压,因此影响给转换速率带来不利影响。高速工作时不希望这种特性。
图2. 背对背二极管通过限制电压摆动而保护晶体管Q2
在大多数情况下,输入保护利大于弊。不过,在极少数情况下,输入保护可能带来不希望的结果。例如,考虑一个断电但有信号输入的放大器。信号振幅在数百毫伏以内时不会出现问题,但是如果信号振幅大于400 mV,就可能遇到问题。由于输入信号较大,输入保护二极管(D1与D2)将成为正向偏压的。输入和输出之间通过到负载的反馈电阻器形成信号路径,如图3所示。信号大小取决于输入信号的振幅与频率。
:欧工
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