LayTec于11月前推出的产品Pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或SiC晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,Pyro 400是一种真正能测量GaN层表面温度的解决方案。该工具在GaN发光（波长400nm）处实现高温测量。

图1. Pyro 400被安装在Aixtron的行星式MOCVD系统中。 该公司Kolja Haberland博士展示了生长过程中GaN LED结构（包括多量子阱）的相关细节。图2展示了一个典型的线扫描测量结果,利用Pyro 400对基座的进行监测的晶片温度曲线,所得数据直接反应了行星式反应腔内每块晶片的GaN温度分布状况。通过结合EpiCurve®测量出的反射比与曲率值,原位测量为优化均匀度和LED性能提供了所有的重要信息。此外,数据还清晰地展示了晶片曲率导致的温度分布变化,并证实了晶片凹面的中心更热。

图2. 采用Pyro 400线扫描法测量8×3配置的反应腔。一个是凹型翘曲幅度较大的（#2, 3, 5, 7）晶片模板,另一个是凹型翘曲幅度较小的（#4, 5, 8）GaN模板,两者的温度曲线不同。蓝色背景标明了晶片之间的差距。 Haberland博士还指出,GaN层的表面温度对载气、旋转速度以反应及腔的内压的变化非常敏感。而细微的变化这些不是传统的红外高温测量法所能感测到的。此外,Pyro 400在GaN缓冲层生长过程中不存在发射振荡,因此能进行温度反馈控制。 总之,在基于GaN的LED或激光器生长过程中,Pyro 400为之提供了一种新的、高度的温度测量方法,使之受益匪浅。