1746-IB32

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减缓米勒效应的解决方法

　　通常有三种传统的方法来解决以上问题：*种方法是改变门极电阻（如图2）；第二种方法是在在门极G和射极E之间增加电容（如图3）；第三种方法是采用负压驱动（如图4）。除此之外，还有一种简单而有效的解决方案即有源钳位技术（如图5）。

　　独立的门极开通和关断电阻

　　门极导通电阻RGON影响IGBT导通期间的门极充电电压和电流；增大这个电阻将减小门极充电的电压和电流，但会增加开通损耗。

　　寄生米勒电容引起的导通通过减小关断电阻RGOFF可以有效抑制。越小的RGOFF同样也能减少IGBT的关断损耗，然而需要付出的代价是在关断期间由于杂散电感会产生很高的过压尖峰和门极震荡。

图2：独立的门极开通和关断电阻

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