1747-L543

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自从进入市场以来，CMOS 单电源放大器就给单电源系统设计人员带来了*优势。影响双电源放大器总谐波失真 + 噪声 （THD+N） 特性的主要因素是输入噪声与输出级交叉失真。单电源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的输入输出级。但是，输入级对 THD+N 的影响可让单电源放大器的这一规范属性变得复杂。

　　有几种单电源放大器拓扑可在整个电源中接收输入信号。在互补型差分输入级拓扑中，当放大器输入接近负轨时，PMOS 晶体管导通，NMOS 晶体管关断（图 1）。当放大器输入接近正轨时，NMOS 晶体管导通，PMOS 晶体管关断。

　　这种设计拓扑在整个共模输入范围内会对放大器失调电压产生*的变化。在接近接地的输入区域，PMOS 晶体管的失调误差占主导地位。在接近正电源的区域，NMOS 晶体管对成为主导失调误差。当放大器输入穿过这两个区域时，这两个对都会导通。结果就是输入失调电压在两级之间变化。当 PMOS 和 NMOS 晶体管都导通时，共模电压区域大约为 400mV。这种交叉失真现象会影响放大器的 THD。如果将互补型输入放大器采用非反相配置进行配置，输入交叉失真就会影响放大器的 THD+N 性能。例如，在图 2 中，如果不使用输入转换，THD+N 为 0.0006%。如果 THD+N 测试包含放大器的输入交叉失真，THD+N 为 0.004%。您可通过使用反相配置来避免这类放大器的交叉失真。

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