1747-L542

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HS3 IGBT具备低损耗/高输出电流

　　为分析不同切换频率的装置效能，使用IPOSIM模拟变频器效能。为了能够进行比较，图1所示的HS3 IGBT和IGBT3的动态损耗也考量在内。在模拟中，计算出输出功率4千伏安（kVA）的单相H型电桥的输出电流，并考量以下的操作条件：输出电流IOUT设为17.4ARMS，功率因子使用1.0;此外，调变指数为0.8，直流连结电压为400V。这两款装置使用相同的热状况，将散热片温度固定在80℃。

　　图4显示H桥变频器在上述操作条件下模拟的半导体功率损耗PLosses。从H桥变频器的分析显示，IGBT3的静态损耗只有HS3 IGBT静态损耗的70%;提高切换频率f时，动态损耗变得很明显，在f=7.5kHz时，HS3 IGBT的整体损耗等于IGBT3的整体损耗，如图4星号部分显示;当进一步提高切换频率时，此效应更为显着，而且可清楚发现HS3 IGBT的优点在高切换频率下更为明显。

　　图4左侧：HS3 IGBT和IGBT3在H桥变频器拓扑的模拟半导体功率损耗与切换频率的关系。模拟的功率损耗为H桥变频器的功率损耗，而非单一晶片;右侧：HS3 IGBT和IGBT3zui高可达到的输出电流与切换频率的关系。

　　图4右侧显示zui高可达到的输出电流，计算时使用了上述的操作条件，其中IOUT不是固定值，会受装置zui高接面温度限制;当提高频率时，IOUT随之下降，在低切换频率时，IGBT3的zui高输出电流高于HS3 IGBT;在f？7.5kHz时，HS3 IGBT的输出电流高于IGBT3的输出电流。HS3 IGBT和IGBT3两者IOUT的差异，在较高的切换频率下更为显着。

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