1747-L532

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RG设定影响HS3 IGBT切换效能

　　前文显示HS3 IGBT在高频率应用上大幅超越IGBT3及IGBT4，接下来要测量的是HS3 IGBT在操作条件下的效能。在一般的太阳能变频器操作条件下，HS3 IGBT大部分将以低于额定晶片电流的集极电流运作;此外，直流连结电压可能会随广泛的电压范围变化。因此，以下将分析HS3 IGBT在150~450V的直流连结电压范围，以及集极电流达到额定晶片电流下的切换损耗。

　　测量时，闸极驱动电路使用RG=15。图2显示HS3 IGBT切换损耗与直流连结电压的关联，当VDC较低时EOFF也较低，且会随着VDC提高呈线性增加，而较高的集极电流则会提高关断损耗;相较之下，可发现EON的提高与VDC和IC不成比例，在IC=10A时，EON相对于VDC的斜率几乎为恒定;在IC=30和50A时，可发现VDC300V时的斜率变大。在插图中，非等比例的提高也同样发生在Etotal。

　　图2HS3 IGBT切换能量EON和EOFF与直流连结电压在IC = 10、30和50A的关系。上方插图为HS3 IGBT的Etotal与直流连结电压IC = 10、30和50A的关系。

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