【广州南创电子科技有限公司】是一家专门销售传感器、变送器、仪器仪表、工控设备等的*。 我们的客户遍布国内众多行业领域，包括钢厂、电厂、化工、汽车、机械、自动控制等行业并且同国内许多企业建立了优良的*合作关系。
PME12-F-0950-S位移传感器概述：
用M5螺纹机械联结。超出理论电气行程无电气信号的变化，安装更简单。改良型设计，满足各种条件下可靠测量的需求。广泛适用于塑料成型机，立式压力机和其他生产设备。采用新型槽口设计--传统支架式固定系统的理想代替方案。
PME12-F-0950-S传感器图片
PME12-F-0950-S产品特点：
有效电气行程（C.E.U）50/100/130/150/175/200/225/275/300/375/400/450/500/600/750/900
独立线性（C.E.U 范围之内）±0.05%
位移速率标准≤5m/s(可选择≤10m/s)
位移力≤2N IP60; ≤10N IP65
振动5-2000Hz，Amax=0.75mm,amax=20g
冲击50g，11ms
工作加速度200m/s2 max (20g)
电阻公差±20%
PME12-F-0950-S产品规格：
电阻公差±20%
*指针电流<0.1μA
zui大指针电流10mA
zui大应用电压60V
电气绝缘>100M欧姆（在500V=，1bar,2s）
绝缘能力<100μA（在500V=，50Hz,1bar,2s）
损耗-40℃（在120℃时为0W）3W
电阻温度系数-200±200ppm/℃
输出电压的实际温度系数<1.5ppm/℃
工作温度范围-30…+100℃
储存温度范围-50…+120℃
外壳材料电镀铝尼龙66GF40
杆的材料不锈钢AISI 303
装备托架
PME12-F-0950-S接线方式
电气连接：
LTH 3极 接头
LTM 4极 DIN43650 ISO4400标准接头
LTB 5极 DIN43322接头
LTF 3极屏蔽电缆（1米长度）
使用寿命>100×106次或>25×106米，二者取小(有效的电气行程之内)
保护等级：IP60（可选择IP65）
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什么是霍尔传感器
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应，而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。
霍尔传感器的原理介绍
磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁场强度。下图所示的方法是用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置。
利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
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